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2SA 966-Y

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Toshiba
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NF-Kleinleistungs-Transistor

PNP-Typ im Metallgehäuse

UCEO =  V
IC =  A
Ptot =  W
fT =  MHz
hFE

Gehäuse

Technische Details

UCEO = Collector Emitter Voltage At Open Base (maximale Kollektor-Emitter-Spannung bei offener Basis)
IC = Collector Current (maximaler Kollektor-Strom)
Ptot = Power Dissipation (maximale Verlustleistung)
fT = Transition Frequency (Transitfrequenz)
hfe = DC Current Gain (Verstärkung)

Alle Daten sind Nenndaten, die Toleranzen unterliegen.

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