Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor Leistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 80 V
Strom Ic 4A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 40 W
Gehäuse Halbleiter TO126

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)