Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor Leistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 80 V
Strom Ic 25A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 200 W
Verstärkung hfe 20...100
Transitfrequenz fT min 4 MHz
Gehäuse Halbleiter TO3
Hersteller Transistoren ISC

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv