Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren weitere ...
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 30 V
Strom Ic 0,6A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,625 W
Verstärkung hfe 100...300
Transitfrequenz fT min 300 MHz
Gehäuse Halbleiter TO92 gegurtet
Hersteller Transistoren Fairchild (jetzt ONsemi)
Einsatztemperaturbereich -

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv