Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SA
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 60 V
Strom Ic 7A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 50 W
Gehäuse Halbleiter TO3
Hersteller Transistoren Toshiba

Lieferangaben

Status Restbestand (kein Neueingang)