Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SC
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 400 V
Strom Ic 0,5A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,75 W
Gehäuse Halbleiter TO126
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv