2SD1069
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PNP-Typ im Metallgehäuse
UCEO = V
IC = A
Ptot = W
fT = MHz
hFE =
Gehäuse
Aufbau
Silizium
bedrahtet
2SD
Bipolar-Transistor BJT
Technische Daten
NPN
150 V
7A
1,7 W
TO220
Toshiba
Lieferangaben
Ja
aktiv