Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SD
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 150 V
Strom Ic 7A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 40 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv