Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SD
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 150 V
Strom Ic 0,11A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 1,3 W
Gehäuse Halbleiter TO126
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv