Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SD
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 16 V
Strom Ic 2A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,9 W
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv