Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SJ
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 40 V
Strom Id (MOSFET) 2A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 10 W
Gehäuse Halbleiter TO251AA
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Nein
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)