Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BC
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 30 V
Strom Ic 0,1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,50 W
Verstärkung hfe 420...800
Transitfrequenz fT min 300 MHz
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren Taiwan Semiconductor
Einsatztemperaturbereich -65...+150°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv