Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BD
Ausführung Transistor Leistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 60 V
Strom Ic 10A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 90 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren NXP

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv