Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BD
Ausführung Transistor Leistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 120 V
Strom Ic 4A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 40 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren ISC

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv