Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BU
Ausführung Transistor Hochspannungs-Transistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 400 V
Strom Ic 4A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 70 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren STM

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv