Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BU
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 600 V
Strom Id (MOSFET) 4A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 75 W
Gehäuse Halbleiter TO220ISO
Hersteller Transistoren JOYVIRTUE

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)