IRC644
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
N-Kanal-Typ
UDS = 250 V
ID25 = 14 A
RDS(on) = 0,280 W
UGS(th) = 2,0 V
td(on) = 12 ns
td(off) = 49 ns
Gehäuse TO220-5
Hersteller: Infineon
Aufbau
Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET
Technische Daten
N-Kanal
250 V
14A
0,28 Ohm
125 W
TO220.5
Infineon
Lieferangaben
Ja
obsolete
Restbestand (kein Neueingang)