IRF1010N

Transistor N-MOSFET 55V 75A 180W 0,011R TO220AB

Artikel-Nummer: 502581;0

ab Menge	Preis je Stück
1	1,09 €
5	1,06 €
10	1,04 €
20	1,02 €
50	0,99 €

ab 1,09 €

1 Stück = 1,09 €

inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zum Merkzettel hinzufügen

Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 55 V
I_D = 84 A
P_tot = 170 W
R_DS(ON) = 0,011 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 55 V
Strom Id (MOSFET) 75A
RDSon (MOSFET) 0,011 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 180 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren Infineon