IRF5210S
ab Menge | Preis je Stück |
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1 | 1,99 € |
5 | 1,96 € |
10 | 1,94 € |
20 | 1,92 € |
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
P-Kanal-Typ
VDS = 100 V
ID = 40 A
Ptot = 200 W
RDS(ON) = 0,06 W
Gehäuse D²Pak
Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).
Aufbau
Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET
Technische Daten
P-Kanal
100 V
40A
0,06 Ohm
170 W
TO220AB
Infineon
Lieferangaben
Ja
aktiv