Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 200 V
Strom Id (MOSFET) 65A
RDSon (MOSFET) 0,024 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 330 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv