IRFP4668

Transistor N-MOSFET 200V 130A 520W 0,0097R TO247AC
Artikel-Nummer: 502988;0
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Leistungs-MOSFET 

N-Kanal im Plastikgehäuse
  • UDS = 200 V
  • ID25 = 130 A
  • RDS(on) = 0,0097 Ohm
  • UGS(th) = 3,0 V
  • td(on) = 41 ns
  • td(off) = 64 ns
  • Ptot = 520 W
  • Gehäuse  TO247AC
  • Hersteller  International Rectifier (jetzt Infineon)

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
200 V
130A
0,0079 Ohm
520 W
TO247AC
Infineon

Lieferangaben

Ja
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