Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor Doppel-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 60 V
Strom Id (MOSFET) 5,3A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,0 W
Gehäuse Halbleiter SO 8
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv