Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 40 V
Strom Ic 0,8A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 3,0 W
Verstärkung hfe 40...120
Transitfrequenz fT min 250 MHz
Gehäuse Halbleiter TO39
Hersteller Transistoren CDIL

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv