2SJ105
inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
PNP-Typ im Metallgehäuse
UCEO = V
IC = A
Ptot = W
fT = MHz
hFE =
Gehäuse
Aufbau
Silizium
bedrahtet
2SJ
Leistungs-MOSFET
FET
Technische Daten
P-Kanal
50 V
0,014A
0,20 W
TO92S
Toshiba
Lieferangaben
Nein
obsolete
Restbestand (kein Neueingang)