Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BU
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 200 V
Strom Id (MOSFET) 3,6A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 40 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren IPS

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)