Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 50 V
Strom Ic 0,5A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 30 W

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv