Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 80 V
Strom Ic 1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,80 W
Gehäuse Halbleiter TO39
Hersteller Transistoren Philips

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)