Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 80 V
Strom Ic 0,2A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,35 W
Verstärkung hfe 100...300
Transitfrequenz fT min 100 MHz
Gehäuse Halbleiter TO18
Hersteller Transistoren µe
Einsatztemperaturbereich -65...+200°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)