Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 65 V
Strom Ic 1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 1,0 W
Verstärkung hfe 20...200
Transitfrequenz fT min 60 MHz
Gehäuse Halbleiter TO18
Hersteller Transistoren CDIL

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv