Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 200 V
Strom Ic 1A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 1,0 W
Verstärkung hfe 30...150
Transitfrequenz fT min 15 MHz
Gehäuse Halbleiter TO39
Hersteller Transistoren CDIL
Einsatztemperaturbereich -65...+200°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv