Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor Leistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 80 V
Strom Ic 15A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 75 W
Verstärkung hfe 20...150
Transitfrequenz fT min 5 MHz
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren ONsemi
Einsatztemperaturbereich -65...+150°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv