Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2N
Ausführung Transistor Kleinleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 60 V
Strom Id (MOSFET) 0,115A
RDSon (MOSFET) 1,8 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,40 W
Gehäuse Halbleiter TO92
Hersteller Transistoren UTC
Einsatztemperaturbereich -55...+150°C

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv