2SB475

Japan-Transistor pnp 10V 300mA 150mW TO1

Artikel-Nummer: 504536;0

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NF-Kleinleistungs-Transistor

PNP-Typ im Metallgehäuse

U_CEO = V
I_C = A
P_tot = W
f_T = MHz
h_FE =

Gehäuse

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SB
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 10 V
Strom Ic 0,3A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,15 W
Gehäuse Halbleiter TO1
Hersteller Transistoren Mitsubishi

RoHS-konform Ja
Status aktiv

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