2SD1196
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PNP-Typ im Metallgehäuse
UCEO = V
IC = A
Ptot = W
fT = MHz
hFE =
Gehäuse
Aufbau
                                        
Silizium                                             
                                        
bedrahtet                                             
                                        
2SD                                             
                                        
Bipolar-Transistor BJT                                             
                                
Technische Daten
                                        
NPN                                             
                                        
100 V                                             
                                        
8A                                             
                                        
1,7 W                                             
                                        
TO220                                             
                                        
ISC                                             
                                
Lieferangaben
                                        
Ja                                             
                                        
aktiv                                             
                                
 
                     
                     
                                