2SD1425
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PNP-Typ im Metallgehäuse
UCEO = V
IC = A
Ptot = W
fT = MHz
hFE =
Gehäuse
Aufbau
Silizium
bedrahtet
2SD
Bipolar-Transistor BJT
Technische Daten
NPN
600 V
2,5A
80 W
TO247
Toshiba
Lieferangaben
Ja
aktiv