Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren 2SD
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 1500 V
Strom Ic 3A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 50 W
Gehäuse Halbleiter TO3
Hersteller Transistoren Hitachi (jetzt Renesas)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv