Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BU
Ausführung Transistor Hochspannungs-Transistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 800 V
Strom Ic 12A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 100 W
Gehäuse Halbleiter SOT199
Hersteller Transistoren ISC

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv