Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BU
Ausführung Transistor Hochspannungs-Transistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 700 V
Strom Ic 2,5A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 75 W
Gehäuse Halbleiter TO218
Hersteller Transistoren NXP

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv