Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IPA, IKW, IX
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 600 V
Strom Id (MOSFET) 10,6A
RDSon (MOSFET) 0,38 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 31 W
Gehäuse Halbleiter TO220FP (Fullpak)
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv