IRF5210

Transistor P-MOSFET 100V 40A 200W 0,06R TO220AB

Artikel-Nummer: 502620;0

ab Menge	Preis je Stück
1	1,69 €
5	1,66 €
10	1,64 €
20	1,61 €
50	1,58 €

ab 1,69 €

1 Stück = 1,69 €

inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zum Merkzettel hinzufügen

Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

P-Kanal-Typ

V_DS = 100 V
I_D = 40 A
P_tot = 200 W
R_DS(ON) = 0,06 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 40A
RDSon (MOSFET) 0,06 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 200 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren Infineon