IRF5210

Transistor P-MOSFET 100V 40A 200W 0,06R TO220AB

Artikel-Nummer: 502620;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

P-Kanal-Typ

V_DS = 100 V
I_D = 40 A
P_tot = 200 W
R_DS(ON) = 0,06 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 40A
RDSon (MOSFET) 0,06 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 200 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren Infineon