IRF5210

Transistor P-MOSFET 100V 40A 200W 0,06R TO220AB
Artikel-Nummer: 502620;0
ab Menge Preis je Stück
1 1,99
5 1,96
10 1,94
20 1,92
50 1,89
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Leistungs-MOSFET

P-Kanal-Typ

VDS = 100 V
ID = 40 A
Ptot = 200 W
RDS(ON) = 0,06 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

P-Kanal
100 V
40A
0,06 Ohm
200 W
TO220AB
Infineon

Lieferangaben

Ja
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