IRF5305

Transistor P-MOSFET 55V 31A 110W 0,06R TO220AB

Artikel-Nummer: 502622;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

P-Kanal-Typ

V_DS = 55 V
I_D = 31 A
P_tot = 110 W
R_DS(ON) = 0,06 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 55 V
Strom Id (MOSFET) 31A
RDSon (MOSFET) 0,06 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 110 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren Infineon