IRF530N

Transistor N-MOSFET 100V 17A 70W 0,09R TO220AB
Artikel-Nummer: 502544;0
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5 0,61
10 0,59
20 0,57
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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 100 V
ID = 15 A
Ptot = 63 W
RDS(ON) = 0,11 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
17A
0,09 Ohm
70 W
TO220AB
Infineon

Lieferangaben

Ja
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