IRF640N

Artikel-Nummer: 502556;0
Transistor N-MOSFET 200V 18A 150W 0,15R TO220AB
ab Menge Preis je Stück
1 0,99
5 0,96
10 0,94
20 0,92
50 0,89
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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 200 V
ID = 18 A
Ptot = 150 W
RDS(ON) = 0,15 Ohm
Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
200 V
18A
0,15 Ohm
150 W
TO220AB
Infineon

Lieferangaben

Ja
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