IRF7103

Transistor 2x-fach N-MOSFET 50V 3A 2W 0,13R SO8

Artikel-Nummer: 502625;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

2xN-Kanal-Typ

V_DS = 50 V
I_D = 3,0 A
P_tot = 2,0 W
R_DS(ON) = 0,13 W

Gehäuse SO8

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 50 V
Strom Id (MOSFET) 3A
RDSon (MOSFET) 0,13 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,0 W
Gehäuse Halbleiter SO 8
Hersteller Transistoren Infineon