IRF7389

Transistor N+P-MOSFET 30V 7,3/5,3A 2,5W SO8

Artikel-Nummer: 502647;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N+P-Kanal-Typ

V_DS = 30 V
I_D = 7,3/5,3 A
P_tot = 2,5 W
R_DS(ON) = - W

Gehäuse SO8

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Doppel-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N+P- Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 30 V
Strom Id (MOSFET) 7,3/5,3A
RDSon (MOSFET) -
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,5 W
Gehäuse Halbleiter SO 8
Hersteller Transistoren Infineon