Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Kleinleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 20 V
Strom Id (MOSFET) 6,7A
RDSon (MOSFET) 0,04 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,5 W
Gehäuse Halbleiter SO 8
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv