IRF9Z34NS

Transistor P-MOSFET 55V 19A 0,1R 68W D²Pak
Artikel-Nummer: 502526;0
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Leistungs-MOSFET 

P-Kanal im Plastikgehäuse
  • UDS = 55 V
  • ID25 = 19 A
  • RDS(on) = 0,100 Ohm
  • UGS(th) = 2,0 V
  • td(on) = 13 ns
  • td(off) = 30 ns
  • Ptot = 68 W
  • Gehäuse  D²Pak
  • Hersteller  International Rectifier (jetzt Infineon)

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

P-Kanal
55 V
19A
0,01 Ohm
68 W
D²Pak
Infineon

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Ja
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