IRFB4110

Transistor N-MOSFET 100V 180A 370W 0,0045R TO220AB
Artikel-Nummer: 502741;0
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10 1,82
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Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
180A
0,0045 Ohm
370 W
TO220AB
Infineon

Lieferangaben

Ja
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