Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Doppel-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 200 V
Strom Id (MOSFET) 9,1A
RDSon (MOSFET) 3 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 21 W
Gehäuse Halbleiter TO220-5-FP (Fullpack)
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)