IRFP4468

Artikel-Nummer: 502986;0
Transistor N-MOSFET 100V 195A 520W 0,0026R TO247AC
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Leistungs-MOSFET 

N-Kanal im Plastikgehäuse
  • UDS = 100 V
  • ID25 = 195 A
  • RDS(on) = 0,0026 Ohm
  • UGS(th) = 2,0 V
  • td(on) = 52 ns
  • td(off) = 160 ns
  • Ptot = 520 W
  • Gehäuse  TO247AC
  • Hersteller  International Rectifier (jetzt Infineon)

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
195A
0,0026 Ohm
520 W
TO247AC
Infineon

Lieferangaben

Ja
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